器件建模
安捷伦为直流和射频半导体器件表征及建模提供硬件和软件解决方案。当前大多数领先的半导体制造商和集成器件制造商(IDMs)都采用安捷伦工具来获得器件建模方案,以便用于芯片 CMOS、Bipolar、混合砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和许多其它器件技术。
器件建模挑战
- 随着器件几何尺寸越来越小,使用精确模型并控制器件处理性能中的统计变量这种需求显得越来越重要。
- 电路设计人员需要在直流以及射频和微波频率范围内可以精确预测器件行为的模型。
- 不同的处理技术需要大量的可以迅速适应独特程序的模型。
- 建模测量通常耗时数个小时甚至数天,测量控制软件也必须与探测器和仪器协同工作,以便在不同温度条件下执行自动测量。
1-4 / 4
|
IC-CAP Device Modeling Software
Technical overview of Agilent's Integrated Circuit Characterization and Analysis Program (IC-CAP), complete and accurate parameter extraction for semiconductor device modeling
技术总览 2012-12-20 |
|
|
Overview on Modeling of a TSOP44 Package
This Paper presents a step-by-step tutorial based on the IC-CAP model detailing how to model a TSOP44 package using the test fixture.
技术总览 2001-09-01 |
|
|
Overview on RF Circuits Integration using CMOS SOI 0.25 µm Technology
This Paper gives a brief overview of the Silicon On Insulator (SOI) technology and also introduces two RF designs performed successfully with 0.25μm SOI technology.
技术总览 2002-03-01 |
|
|
Proposed System Solution for 1/f Noise Parameter Extraction
This paper describes a measurement setup for measuring the 1/f noise of Bipolar and MOS devices.
技术总览 2000-12-01 |
|
